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IRF520NPBF  与  PSMN5R6-100PS,127  区别

型号 IRF520NPBF PSMN5R6-100PS,127
唯样编号 A36-IRF520NPBF A-PSMN5R6-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@5.7A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 306W
输出电容 - 561pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 9.7A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
输入电容 - 8061pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥15.5075
50+ :  ¥12.7111
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF520NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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¥15.5075 

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20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比

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