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IRF3205STRLPBF  与  SPB80N06S-08  区别

型号 IRF3205STRLPBF SPB80N06S-08
唯样编号 A36-IRF3205STRLPBF A-SPB80N06S-08
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V 8mΩ
上升时间 - 53ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 73S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 32ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 300W
典型关闭延迟时间 - 54ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 22ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 11 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
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