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IRF1310NPBF  与  PSMN7R0-100PS,127  区别

型号 IRF1310NPBF PSMN7R0-100PS,127
唯样编号 A36-IRF1310NPBF A-PSMN7R0-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ@22A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) 269W
输出电容 - 438pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 42A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
输入电容 - 6686pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.8mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 32 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.71
20+ :  ¥13.3875
50+ :  ¥10.9734
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