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IRF1018EPBF  与  IRF1010EPBF  区别

型号 IRF1018EPBF IRF1010EPBF
唯样编号 A36-IRF1018EPBF A33-IRF1010EPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V 12mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 79A 84A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V 130nC @ 10V
库存与单价
库存 176 1,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥5.038
100+ :  ¥4.026
20+ :  ¥11.8343
50+ :  ¥7.1198
100+ :  ¥6.5257
500+ :  ¥6.1328
1,000+ :  ¥6.0561
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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10: ¥5.038
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TO-220AB

¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 对比
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20: ¥11.1096
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