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IRF1018EPBF  与  STP60NF06  区别

型号 IRF1018EPBF STP60NF06
唯样编号 A36-IRF1018EPBF A3-STP60NF06
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 79A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 176 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥5.038
100+ :  ¥4.026
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥11.8343
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