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IRF1018EPBF  与  PSMN4R6-60PS,127  区别

型号 IRF1018EPBF PSMN4R6-60PS,127
唯样编号 A36-IRF1018EPBF A-PSMN4R6-60PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 211W
输出电容 - 567pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 79A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
输入电容 - 4426pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 176 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.038
100+ :  ¥4.026
20+ :  ¥11.1096
50+ :  ¥9.1062
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1018EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥5.038 

阶梯数 价格
10: ¥5.038
100: ¥4.026
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IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 对比
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¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
100: ¥3.806
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PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78

¥11.1096 

阶梯数 价格
20: ¥11.1096
50: ¥9.1062
0 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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