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IPP032N06N3GXKSA1  与  PSMN3R3-60PLQ  区别

型号 IPP032N06N3GXKSA1 PSMN3R3-60PLQ
唯样编号 A36-IPP032N06N3GXKSA1 A-PSMN3R3-60PLQ
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 293W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
输出电容 - 822pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 118uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 130A
输入电容 - 10115pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.8mΩ@4.5V,3.4mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥13.1193
50+ :  ¥10.7535
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