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IPD80R1K4CEATMA1  与  STD6N65M2  区别

型号 IPD80R1K4CEATMA1 STD6N65M2
唯样编号 A36-IPD80R1K4CEATMA1 A-STD6N65M2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 63W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 240uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 2.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 3.9A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K4CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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