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IPD70R360P7SAUMA1  与  TK380P60Y,RQ  区别

型号 IPD70R360P7SAUMA1 TK380P60Y,RQ
唯样编号 A36-IPD70R360P7SAUMA1 A-TK380P60Y,RQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 59.4W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 30W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 380 毫欧 @ 4.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 517pF @ 400V 590 pF @ 300 V
Vgs(th) - 4V @ 360uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 20 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.7A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 3A,10V -
Vgs(最大值) ±16V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 12.5A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 700V -
库存与单价
库存 1,290 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.081
100+ :  ¥3.388
1,250+ :  ¥3.08
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥4.081 

阶梯数 价格
20: ¥4.081
100: ¥3.388
1,250: ¥3.08
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