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IPD70R360P7SAUMA1  与  STD13NM60N  区别

型号 IPD70R360P7SAUMA1 STD13NM60N
唯样编号 A36-IPD70R360P7SAUMA1 A-STD13NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 59.4W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 90W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 517pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 3A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 12.5A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 700V -
库存与单价
库存 1,290 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.081
100+ :  ¥3.388
1,250+ :  ¥3.08
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥4.081 

阶梯数 价格
20: ¥4.081
100: ¥3.388
1,250: ¥3.08
1,290 当前型号
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