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IPD70R1K4P7SAUMA1  与  IPD70R1K4CEAUMA1  区别

型号 IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1
唯样编号 A36-IPD70R1K4P7SAUMA1 A3-IPD70R1K4CEAUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 23W(Tc) 53W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 158pF @ 400V 225pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA 3.5V @ 130uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.7nC @ 10V 10.5nC @ 10V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆@ 700mA,10V 1.4 欧姆 @ 1A,10V
Vgs(最大值) ±16V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) 5.4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 700V 700V
库存与单价
库存 2,114 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.354
100+ :  ¥1.815
1,250+ :  ¥1.584
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4P7S_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.354 

阶梯数 价格
30: ¥2.354
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,114 当前型号
STD6N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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