首页 > 商品目录 > > > > IPD70R1K4P7SAUMA1代替型号比较

IPD70R1K4P7SAUMA1  与  IPD70R2K0CE  区别

型号 IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R2K0CE
唯样编号 A36-IPD70R1K4P7SAUMA1 A-IPD70R2K0CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 23W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2000mΩ
Rth - 2.95K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 158pF @ 400V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK (TO-252)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.7nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 4A
Ptot max - 42.0W
QG - 7.8nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆@ 700mA,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.15
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 700V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 4.3nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
库存与单价
库存 2,114 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.354
100+ :  ¥1.815
1,250+ :  ¥1.584
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4P7S_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.354 

阶梯数 价格
30: ¥2.354
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,114 当前型号
STD6N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD70R1K4CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD70R1K4CEAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
STD6N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD70R2K0CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD70R2K0CEAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售