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IPD60R360P7SAUMA1  与  IPD60R360P7SE8228AUMA1  区别

型号 IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SE8228AUMA1
唯样编号 A36-IPD60R360P7SAUMA1 A-IPD60R360P7SE8228AUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 41W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@2.7A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 41W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 555pF @ 400V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -40°C~150°C -40°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 140uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 360 毫欧 @ 2.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 404 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.839
100+ :  ¥2.959
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R360P7S_TO-252-3

¥3.839 

阶梯数 价格
20: ¥3.839
100: ¥2.959
404 当前型号
IPD60R460CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R460CE_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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