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IPA70R360P7SXKSA1  与  R6011KNX  区别

型号 IPA70R360P7SXKSA1 R6011KNX
唯样编号 A36-IPA70R360P7SXKSA1 A-R6011KNX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 26.4W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 390mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 53W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 517pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 3A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 12.5A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 700V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥11.9077
500+ :  ¥7.5495
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
210: ¥24.9561
500: ¥19.5169
1,000: ¥15.2232
0 对比
R6011KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥11.9077 

阶梯数 价格
110: ¥11.9077
500: ¥7.5495
0 对比

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