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IPA70R360P7SXKSA1  与  AOTF380A60L  区别

型号 IPA70R360P7SXKSA1 AOTF380A60L
唯样编号 A36-IPA70R360P7SXKSA1 A-AOTF380A60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.4
功率耗散(最大值) 26.4W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 6.6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 517pF @ 400V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 11*A
Ciss(pF) - 955
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 3A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 251
Td(off)(ns) - 43
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 27W
Qrr(nC) - 3100
VGS(th) - 3.8
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 12.5A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
Coss(pF) - 29
Qg*(nC) - 20
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥24.9561
500+ :  ¥19.5169
1,000+ :  ¥15.2232
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210: ¥24.9561
500: ¥19.5169
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