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IPA60R650CEXKSA1  与  AOTF11N70  区别

型号 IPA60R650CEXKSA1 AOTF11N70
唯样编号 A36-IPA60R650CEXKSA1 A36-AOTF11N70
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 10.5
功率耗散(最大值) 28W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 870mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 15
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 42
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 11A
Ciss(pF) - 1793
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 2.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 400
Td(off)(ns) - 103
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 9000
VGS(th) - 4.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
Coss(pF) - 146
Qg*(nC) - 37.5*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R650CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R650CE_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STP10NK70ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
100: ¥5.104
375 对比
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