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IPA60R180P7SXKSA1  与  R6030MNX  区别

型号 IPA60R180P7SXKSA1 R6030MNX
唯样编号 A36-IPA60R180P7SXKSA1 A3-R6030MNX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 26W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 90W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 280uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2180pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R180P7SXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R180P7S_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 500 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥33.1168 

阶梯数 价格
5: ¥33.1168
10: ¥27.1566
50: ¥21.503
100: ¥20.4297
500: ¥19.0307
500 对比
R6020KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥33.0616 

阶梯数 价格
1: ¥33.0616
100: ¥19.1096
500: ¥12.1155
500 对比
R6020KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 497 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥33.1168 

阶梯数 价格
5: ¥33.1168
10: ¥27.1566
50: ¥21.503
100: ¥20.4297
205 对比

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