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FQPF6N80C  与  TK4A65DA(STA4,Q,M)  区别

型号 FQPF6N80C TK4A65DA(STA4,Q,M)
唯样编号 A36-FQPF6N80C A-TK4A65DA(STA4,Q,M)
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 800 V 2.5 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 650 V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.9 欧姆 @ 1.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4.4V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12 nC @ 10 V
封装/外壳 - TO-220SIS
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.5A(Ta)
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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