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FQPF6N80C  与  SPA02N80C3  区别

型号 FQPF6N80C SPA02N80C3
唯样编号 A36-FQPF6N80C A-SPA02N80C3
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 800 V 2.5 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7Ω@1.2A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 30.5W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - PG-TO220-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 120µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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