FQD8P10TM 与 DMP10H400SK3-13 区别
| 型号 | FQD8P10TM | DMP10H400SK3-13 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD8P10TM | A3-DMP10H400SK3-13 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 100 V 0.53 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 240mΩ@5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 42W(Tc) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-2 | DPAK | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1239pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17.5nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,090 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FQD8P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-2 |
￥3.124
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2,090 | 当前型号 | ||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥2.068
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309 | 对比 | ||||||||
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IRFR9120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.2455
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0 | 对比 | ||||||||
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SMBJ24A-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS/ESD电路保护二极管 |
38.9V -55°C~150°C(TJ) 24V |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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