FQD7P20TM 与 IRFR9220PBF 区别
| 型号 | FQD7P20TM | IRFR9220PBF | ||||
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| 唯样编号 | A36-FQD7P20TM | A3t-IRFR9220PBF | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | P-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 2.5W(Ta),55W(Tc) | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 690 毫欧 @ 2.85A,10V | 1.5Ω@2.2A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),55W(Tc) | 2.5W(Ta),42W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | D-Pak | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 5.7A(Tc) | 3.6A(Tc) | ||||
| 系列 | QFET® | IRFR | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 770pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 770pF @ 25V | 340pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | 20nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 638 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD7P20TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
2.5W(Ta),55W(Tc) 690m Ohms@2.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 5.7A P-Channel 200V 5.7A(Tc) ±30V 690 毫欧 @ 2.85A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
¥3.036
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638 | 当前型号 | |||||||
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IRFR9220PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 200V 3.6A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR9220PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 200V 3.6A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |