FQD5N60CTM 与 IPD80R2K0P7 区别
| 型号 | FQD5N60CTM | IPD80R2K0P7 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD5N60CTM | A-IPD80R2K0P7 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） TO-252AA | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2000mΩ | ||||||
| Moisture Level | - | 1 Ohms | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||
| Rth | - | 5.1K/W | ||||||
| RthJA max | - | 62.0K/W | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| Qgd | - | 4.0nC | ||||||
| Pin Count | - | 3.0Pins | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK (TO-252) | ||||||
| Mounting | - | SMT | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| Ptot max | - | 24.0W | ||||||
| QG | - | 9.0nC | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,485 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FQD5N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.938
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2,485 | 当前型号 | ||||||||
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STD4NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 92,500 | 对比 | ||||||||
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STD4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||
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AOD4N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 104W 2300mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD4NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPD80R2K0P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
2000mΩ 800V 3A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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