FQD5N60CTM 与 AOD4N60 区别
| 型号 | FQD5N60CTM | AOD4N60 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FQD5N60CTM | A-AOD4N60 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） TO-252AA | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 4.8 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 34 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2300mΩ@10V | ||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 2400 | ||||||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||||||
| Qgd(nC) | - | 4.4 | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 17 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||
| Ciss(pF) | - | 528 | ||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||
| Trr(ns) | - | 190 | ||||||
| Coss(pF) | - | 53 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 12* | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,485 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FQD5N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.938
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2,485 | 当前型号 | ||||||||
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STD4NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 92,500 | 对比 | ||||||||
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STD4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||
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AOD4N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 104W 2300mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD4NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPD80R2K0P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
2000mΩ 800V 3A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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