FQD2N60CTM 与 R6002ENDTL 区别
| 型号 | FQD2N60CTM | R6002ENDTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD2N60CTM | A33-R6002ENDTL | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 1.9 A 4.7 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 65pF @ 25V | ||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | CPT3 | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 3.4 欧姆 @ 500mA,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.7A(Tc) | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 6.5nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,383 | 46 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FQD2N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.468
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5,383 | 当前型号 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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STD2HNK60Z | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
￥1.9169
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77 | 对比 | ||||||||||
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R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 16 | 对比 |
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