FQD2N60CTM 与 STD3NK60ZT4 区别
| 型号 | FQD2N60CTM | STD3NK60ZT4 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD2N60CTM | A3-STD3NK60ZT4 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 1.9 A 4.7 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | N-Channel 600 V 3.6 Ohm Surface Mount SuperMESH Power MosFet -TO-252 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 45W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.4A | ||||||||
| 系列 | - | SuperMESH™ | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 50µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 311pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.8nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 3.6Ω@1.2A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,383 | 7,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FQD2N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.468
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5,383 | 当前型号 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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STD2HNK60Z | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
￥1.9169
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77 | 对比 | ||||||||||
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R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||
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STD3NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A |
暂无价格 | 16 | 对比 |
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