FQD19N10LTM 与 RD3P175SNFRATL 区别
| 型号 | FQD19N10LTM | RD3P175SNFRATL | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD19N10LTM | A33-RD3P175SNFRATL-0 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 0.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-252-3 | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 17.5A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ | ||||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 20W | ||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 24 nC | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,221 | 2,298 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FQD19N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥3.916
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2,221 | 当前型号 | |||||||||||||||
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RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 100V 17.5A 105mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥8.423
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2,298 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3P175SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 100V 17.5A 105mΩ 20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥8.423
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731 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFR3910TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 115mΩ@10A,10V N-Channel 100V 16A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLR3410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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