FQD11P06TM 与 IRFR9024NTRPBF 区别
| 型号 | FQD11P06TM | IRFR9024NTRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FQD11P06TM | A-IRFR9024NTRPBF | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 60 V 0.185 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 38W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252AA | TO-252-3 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 350pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 19nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 350pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 175mΩ@6.6A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 19nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,497 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
¥3.66
|
2,497 | 当前型号 | ||||||||
|
ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A |
¥4.632
|
965 | 对比 | ||||||||
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STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFR9024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |