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FQB55N10TM  与  STB80NF10T4  区别

型号 FQB55N10TM STB80NF10T4
唯样编号 A36-FQB55N10TM A3-STB80NF10T4
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.75W(Ta),155W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 26 毫欧 @ 27.5A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),155W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 55A -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2730pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2730pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9628-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9628-100A_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 1.5V 100V 49A

¥15.8541 

阶梯数 价格
180: ¥15.8541
400: ¥12.386
800: ¥10.1525
0 对比
AUIRF540ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 36A 26.5mΩ 20V 92W N-Channel TO-263-3 100V 车规

暂无价格 0 对比

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