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FQB55N10TM  与  BUK7626-100B,118  区别

型号 FQB55N10TM BUK7626-100B,118
唯样编号 A36-FQB55N10TM A-BUK7626-100B,118
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.75W(Ta),155W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 26 毫欧 @ 27.5A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),155W(Tc) 157W
输出电容 - 238pF
栅极电压Vgs ±25V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
连续漏极电流Id 55A 49A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2730pF @ 25V -
输入电容 - 2168pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 26mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2730pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥13.7127
400+ :  ¥10.713
800+ :  ¥8.7812
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQB55N10TM ON Semiconductor 功率MOSFET

55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK7626-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7626-100B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 3V 100V 49A

¥13.7127 

阶梯数 价格
180: ¥13.7127
400: ¥10.713
800: ¥8.7812
0 对比
PHB45NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB45NQ10T_SOT404 N-Channel 150W 175℃ 3V 100V 47A

暂无价格 0 对比

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