FQB12P20TM 与 IRF6215STRLPBF 区别
| 型号 | FQB12P20TM | IRF6215STRLPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FQB12P20TM | A-IRF6215STRLPBF | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB12P20TM, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | Single P-Channel 150 V 0.58 Ohm 66 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 3.8W(Ta),110W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 150V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | - | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 13A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 860pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 860pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 290mΩ@6.6A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 580 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB12P20TM | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥9.252
|
580 | 当前型号 | |||||||
|
IRF6215STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 290mΩ@6.6A,10V P-Channel 150V 13A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
SIHF9640S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Tc) P-Channel 500 mOhms @ 6.6A,10V 3W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IRF9640SPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
-11A P-Channel ±20V 500mΩ@-6.6A,-10V 3W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C -200V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IRF9640SPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
-11A P-Channel ±20V 500mΩ@-6.6A,-10V 3W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C -200V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
