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FGH40N60SFDTU  与  IHW40N60R  区别

型号 FGH40N60SFDTU IHW40N60R
唯样编号 A36-FGH40N60SFDTU A-IHW40N60R
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 IGBT晶体管
描述 FGH40N60SFD Series 600 V 80 A Flange Mount Field Stop IGBT - TO-247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
功率 - 305W
宽度 - 5.3mm
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
工作温度 - -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - RC
在25 C的连续集电极电流 - 80A
长度 - 15.9mm
集电极—射极饱和电压 - 1.65V
高度 - 20.95mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FGH40N60SFDTU ON Semiconductor  数据手册 未分类

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