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FDY100PZ  与  RE1C002ZPTL  区别

型号 FDY100PZ RE1C002ZPTL
唯样编号 A36-FDY100PZ A-RE1C002ZPTL
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 P 通道 20 V 350mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2Ω@200mA,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 150mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - SOT-490
连续漏极电流Id - 200mA(Ta)
工作温度 - -40°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 115pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
480+ :  ¥0.7981
1,500+ :  ¥0.506
3,000+ :  ¥0.377
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDY100PZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 当前型号
RE1C002ZPTL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 20V 200mA(Ta) ±10V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,4.5V -40°C~150°C(TJ) SOT-490

¥0.3406 

阶梯数 价格
150: ¥0.3406
200: ¥0.252
776 对比
RE1C002ZPTL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 20V 200mA(Ta) ±10V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,4.5V -40°C~150°C(TJ) SOT-490

暂无价格 100 对比
RE1C002ZPTL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 20V 200mA(Ta) ±10V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,4.5V -40°C~150°C(TJ) SOT-490

¥0.7981 

阶梯数 价格
480: ¥0.7981
1,500: ¥0.506
3,000: ¥0.377
0 对比

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