FDV301N 与 SI2336DS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDV301N | SI2336DS-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDV301N | A-SI2336DS-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 350mW(Ta) | - | ||||
| 宽度 | - | 1.60mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | 42mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 10ns | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | 400mV | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 30S | ||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 220mA(Ta) | 5.2A | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | 1.8V,4.5V | ||||
| 下降时间 | - | 10ns | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.06V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9.5pF @ 10V | - | ||||
| 高度 | - | 1.45mm | ||||
| 漏源极电压Vds | 25V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | 1.8W | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 20ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 系列 | - | SI2 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.06V @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9.5pF @ 10V | 560pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | 15nC @ 8V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6ns | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,346 | 39 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.3406
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1,346 | 当前型号 | |||||||||||||||
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DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 320mW(Ta) 8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 25V 260mA(Ta) |
￥0.671
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16,539 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
8V 320mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.26A |
￥0.3367
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7,979 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
8V 320mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.26A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 39 | 对比 | ||||||||||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.2A 1.8W 42mΩ 30V 400mV |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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