FDT3612 与 PHT6NQ10T,135 区别
| 型号 | FDT3612 | PHT6NQ10T,135 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDT3612 | A-PHT6NQ10T,135 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 3.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4 | Single N-Channel 100 V 1.8 W 21 nC TrenchMOS Surface Mount Mosfet - SOT-223 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223-3 | SOT223 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 8.3W | ||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3A | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||
| 输入电容 | - | 633pF | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 90mΩ@10V | ||||||||||
| 输出电容 | - | 103pF | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 3V,20V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,948 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDT3612 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-3 |
￥3.648
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3,948 | 当前型号 | ||||||||||
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PHT6NQ10T,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 90mΩ@10V 8.3W 150°C 3V,20V 100V 3A |
￥2.4294
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4,000 | 对比 | ||||||||||
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PHT6NQ10T,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 90mΩ@10V 8.3W 150°C 3V,20V 100V 3A |
￥3.708
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2,319 | 对比 | ||||||||||
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PHT6NQ10T,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 90mΩ@10V 8.3W 150°C 3V,20V 100V 3A |
￥5.1334
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0 | 对比 | ||||||||||
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SIHFL110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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