FDS9926A 与 IRF7331TRPBF 区别
| 型号 | FDS9926A | IRF7331TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDS9926A | A-IRF7331TRPBF | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 30 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | Dual N-Channel 20 V 2 W 13 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7A | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1340pF @ 16V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1340pF @ 16V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 30mΩ@7A,4.5V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,947 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS9926A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.012
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5,947 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 20V 5.8A |
￥1.584
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2,001 | 对比 | ||||||||||
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IRF7331TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 30mΩ@7A,4.5V 2W N-Channel 20V 7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 20V 7.63A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO4800B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 27mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C |
￥1.5449
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0 | 对比 | ||||||||||
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DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 20V 7.63A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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