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FDS8858CZ  与  SI4532CDY-T1-GE3  区别

型号 FDS8858CZ SI4532CDY-T1-GE3
唯样编号 A36-FDS8858CZ A-Si4532CDY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 30 V 1.6 W 24/46 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
功率耗散Pd - 2.78W
连续漏极电流Id - 6A,4.3A
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 30V
导通电阻Rds(On) - 47 mOhms @ 3.5A,10V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N+P-Channel
库存与单价
库存 439 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.296
100+ :  ¥3.576
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8858CZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥4.296 

阶梯数 价格
20: ¥4.296
100: ¥3.576
439 当前型号
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
77 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.7372 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.7372
0 对比
AO4616 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 对比

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