首页 > 商品目录 > > > > FDS6912A代替型号比较

FDS6912A  与  AO4800L  区别

型号 FDS6912A AO4800L
唯样编号 A36-FDS6912A A-AO4800L
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 28 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC SO8-Cu-D
连续漏极电流Id - 6.9A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - AO
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@6.9A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
漏源极电压Vds - 30V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 630pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6912A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.8A

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
1,566 对比
ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 5.5A

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
50: ¥2.376
268 对比
AO4800L AOS 功率MOSFET

30V 6.9A 27mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8-Cu-D 2W

暂无价格 0 对比
AUIRF7313QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 6.9A 29mΩ@6.9A,10V 2.4W -55°C~175°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比
AO4800B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±12V 6.9A 2W 27mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C

¥3.2185 

阶梯数 价格
490: ¥3.2185
1,000: ¥2.5326
1,500: ¥1.9806
3,000: ¥1.5449
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售