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FDS6681Z  与  IRF9310TRPBF  区别

型号 FDS6681Z IRF9310TRPBF
唯样编号 A36-FDS6681Z A-IRF9310TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 58 nC 2.5W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@-20A,-10V 4.6mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
连续漏极电流Id -20A 20A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5250pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5250pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
库存与单价
库存 2,307 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.522
100+ :  ¥4.598
1,250+ :  ¥4.191
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6681Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 4.6mΩ@-20A,-10V P-Channel -20A -30V SOIC-8 -55°C~150°C

¥5.522 

阶梯数 价格
10: ¥5.522
100: ¥4.598
1,250: ¥4.191
2,307 当前型号
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
1,250: ¥1.969
2,500: ¥1.87
2,866 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 14mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
845 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 对比
IRF9310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 对比

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