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FDS6670A  与  IRF7821TRPBF  区别

型号 FDS6670A IRF7821TRPBF
唯样编号 A36-FDS6670A A-IRF7821TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8m Ohms@13A,10V 9.1mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 13A 13.6A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~155°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2220pF @ 15V 1010pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 5V 14nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1010pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF8721PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4494 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 6.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 10mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7463TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 9.1mΩ@13A,10V N-Channel 30V 13.6A 8-SO

暂无价格 0 对比

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