FDS2572 与 SI4848DY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS2572 | SI4848DY-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDS2572 | A36-SI4848DY-T1-GE3-1 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 150 V 47 mOhm UltraFET Trench Mosfet SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 1.5W(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.9A | 3.7A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | UltraFET™ | TrenchFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA(最小) | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2050pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 21nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 6V,10V | 6V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 47m Ohms@4.9A,10V | 85mΩ | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 5,000 | 29 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
¥4.056
|
5,000 | 当前型号 | |||||||||||
|
IRF7815TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 43mΩ@3.1A,10V N-Channel 150V 5.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
¥2.7754
|
33 | 对比 | ||||||||||
|
SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
¥2.6904
|
29 | 对比 | ||||||||||
|
SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
SI4488DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |