FDS2572 与 IRF7815TRPBF 区别
| 型号 | FDS2572 | IRF7815TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDS2572 | A-IRF7815TRPBF | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 150 V 47 mOhm UltraFET Trench Mosfet SOIC-8 | N-Channel 150 V 43 mOhm 38 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47m Ohms@4.9A,10V | 43mΩ@3.1A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 4.9A | 5.1A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | UltraFET™ | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2050pF @ 25V | 1647pF @ 75V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | 38nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1647pF @ 75V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,054 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
￥3.949
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1,054 | 当前型号 | |||||||
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IRF7815TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 43mΩ@3.1A,10V N-Channel 150V 5.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI4488DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ |
暂无价格 | 25 | 对比 | ||||||
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SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||
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SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI4488DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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