FDN86246 与 SI2328DS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN86246 | SI2328DS-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDN86246 | A3t-SI2328DS-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | FDN86246 Series 150 V 1.6 A 261 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - SuperSOT-3 | Si2328DS Series 100 V 250 mOhm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23-3 (TO-236) | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 1.60mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 250mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 11ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 0.73W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 3.3nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 2V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 9ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S | ||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.15A | ||||
| 系列 | - | SI2 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | - | 10ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns | ||||
| 高度 | - | 1.45mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 290 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FDN86246 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥3.993
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290 | 当前型号 | ||||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 1.15A 0.73W 250mΩ 100V 2V |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 1.15A 0.73W 250mΩ 100V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 1.15A 0.73W 250mΩ 100V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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