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FDN359BN  与  DMN3070SSN-7  区别

型号 FDN359BN DMN3070SSN-7
唯样编号 A36-FDN359BN A36-DMN3070SSN-7-1
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@4.2A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 780mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - SC-59
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 697pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 220
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6505
200+ :  ¥0.5301
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN359BN ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

暂无价格 0 当前型号
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

¥0.7227 

阶梯数 价格
70: ¥0.7227
200: ¥0.5889
1,500: ¥0.5356
3,000: ¥0.5005
6,000 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规

¥1.0384 

阶梯数 价格
50: ¥1.0384
200: ¥0.7997
1,416 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

¥0.6505 

阶梯数 价格
80: ¥0.6505
200: ¥0.5301
220 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规

¥1.538 

阶梯数 价格
1: ¥1.538
100: ¥1.1652
1,000: ¥0.9103
1,500: ¥0.7461
3,000: ¥0.6488
39 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

暂无价格 0 对比

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