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FDN358P  与  AO3409  区别

型号 FDN358P AO3409
唯样编号 A36-FDN358P A36-AO3409
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V 110mΩ@-2.6A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 180mΩ
Qgd(nC) - 1.1
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 SuperSOT SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.5A -2.6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 197
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
Trr(ns) - 11.3
Td(off)(ns) - 11.8
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 4.4
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 4,292 7,385
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.848
100+ :  ¥1.43
750+ :  ¥1.188
1,500+ :  ¥1.0791
3,000+ :  ¥0.9889
90+ :  ¥0.5889
200+ :  ¥0.3809
1,500+ :  ¥0.3302
3,000+ :  ¥0.2925
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
3,000: ¥0.9889
4,292 当前型号
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暂无价格 24,200 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,385 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

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110: ¥0.4719
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¥0.7304 

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70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
468 对比

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