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FDN358P  与  DMP3160L-7  区别

型号 FDN358P DMP3160L-7
唯样编号 A36-FDN358P A3-DMP3160L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±20V 1.3V
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
连续漏极电流Id 1.5A 2.7A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
高度 - 1mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.08W
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
FET类型 P-Channel -
系列 PowerTrench® DMP31
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V 227pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 4,292 24,200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.848
100+ :  ¥1.43
750+ :  ¥1.188
1,500+ :  ¥1.0791
3,000+ :  ¥0.9889
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

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¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
3,000: ¥0.9889
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90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
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