FDN357N 与 DMG3406L-13 区别
| 型号 | FDN357N | DMG3406L-13 | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDN357N | A36-DMG3406L-13 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 770mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@3.6A,10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 495 pF @ 15 V | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 11.2 nC @ 10 V | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT | SOT-23-3 | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.9A | 3.6A(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 6,000 | 15,120 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
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6,000 | 当前型号 | |||||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6201
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88,862 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.6193
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15,120 | 对比 | ||||||||||||||
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.7513
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.6357
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8,675 | 对比 | ||||||||||||||
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AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.627
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5,608 | 对比 |
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