FDN337N 与 DMN3200U-7 区别
| 型号 | FDN337N | DMN3200U-7 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDN337N | A36-DMN3200U-7 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 650mW(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 90mΩ@2.2A,4.5V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 290 pF @ 10 V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | 2.2A(Ta) | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 394 | 2,543 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.6765
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394 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6201
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88,862 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5447
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8,625 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
￥1.661
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6,141 | 对比 | ||||||||||||
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SI3400A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.237
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2,543 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
￥0.6138
|
2,543 | 对比 |
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