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FDN335N  与  RTR040N03TL  区别

型号 FDN335N RTR040N03TL
唯样编号 A36-FDN335N-1 A36-RTR040N03TL
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1W
宽度 - 1.60mm
上升时间 - 18ns
漏源极电压Vds - 30V
栅极电压Vgs - 12V
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A
系列 - RTR040N03
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 475pF @ 10V
长度 - 2.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 19ns
典型接通延迟时间 - 10ns
导通电阻Rds(On) - 48mΩ
高度 - 0.85mm
库存与单价
库存 6,603 8,985
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9828
200+ :  ¥0.7572
1,500+ :  ¥0.6576
3,000+ :  ¥0.612
60+ :  ¥0.9804
200+ :  ¥0.7536
1,500+ :  ¥0.6564
3,000+ :  ¥0.6108
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.9828 

阶梯数 价格
60: ¥0.9828
200: ¥0.7572
1,500: ¥0.6576
3,000: ¥0.612
6,603 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.6344 

阶梯数 价格
80: ¥0.6344
200: ¥0.4095
1,500: ¥0.3549
3,000: ¥0.3146
115,220 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.6972 

阶梯数 价格
80: ¥0.6972
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
87,953 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.7584 

阶梯数 价格
70: ¥0.7584
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.5148
3,000: ¥0.481
15,707 对比
SI3420A-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C 6A 28mΩ@5A,4.5V 20V 1.25W ±10V N-Channel

暂无价格 12,000 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

¥0.9804 

阶梯数 价格
60: ¥0.9804
200: ¥0.7536
1,500: ¥0.6564
3,000: ¥0.6108
8,985 对比

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