FDN335N 与 DMG3418L-7 区别
| 型号 | FDN335N | DMG3418L-7 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDN335N-1 | A36-DMG3418L-7 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@4A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W(Ta) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 464.3pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.5nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,468 | 8,625 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.935
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4,468 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6201
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88,862 | 对比 | ||||||||||
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AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.5753
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22,096 | 对比 | ||||||||||
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SI2302A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.222
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20,157 | 对比 | ||||||||||
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SI3420A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C 6A 28mΩ@5A,4.5V 20V 1.25W ±10V N-Channel |
￥0.226
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12,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5447
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8,625 | 对比 |
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