FDN306P 与 IRLML6401TRPBF 区别
| 型号 | FDN306P | IRLML6401TRPBF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDN306P | A-IRLML6401TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40m Ohms@2.6A,4.5V | 50mΩ@4.3A,4.5V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 1.3W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.6A | 4.3A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | HEXFET® | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 10V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 950mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1138pF @ 6V | 830pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 4.5V | 15nC @ 5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.8V,4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,091 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDN306P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3 |
￥1.463
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3,091 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3415 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 1,828 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6401TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO3415 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -12V -6A 28mΩ@5A,4.5V |
暂无价格 | 149 | 对比 |
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