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FDN306P  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 FDN306P IRLML6401TRPBF
唯样编号 A36-FDN306P A-IRLML6401TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40m Ohms@2.6A,4.5V 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 2.6A 4.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1138pF @ 6V 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 11 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN306P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3

暂无价格 11 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23

暂无价格 0 对比
AO3415 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO3415 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO3415 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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